三星将NVMe的移动存储速度提高了eUFS 3.1
2021-10-17 21:26:03
•
来源:
导读 的最新移动存储标准针对8K视频和大型图像文件进行了优化。随着顺序写入速度提高近三倍,用户可以在1 5分钟内快速传输100 GB文件。整体响应
的最新移动存储标准针对8K视频和大型图像文件进行了优化。随着顺序写入速度提高近三倍,用户可以在1.5分钟内快速传输100 GB文件。整体响应速度和应用程序加载时间也将增加高达60%。
作为全球最大的多功能芯片制造商,三星一直在推动各个领域的技术进步。这家韩国巨头可能没有最快的移动SoC或最好的制造节点,但在LPDDR RAM芯片、图像传感器或存储芯片方面,它总是领先于竞争对手。说到内存,三星最近宣布已经开始生产eUFS 3.1芯片,将集成到旗舰手机中。
UFS 3.0已经相当快了,但三星现在正在加大赌注,推出针对8K视频和大尺寸图像文件优化的嵌入式版本。在读取速度保持在2.1 GB/s不变的同时,改进后的标准将写入速度限制在1.2 GB/s,提高了3倍,因此传输速度很快将超过1 GB/s,用户将可以在其中移动100 GB的数据。大约1.5分钟。随机读/写速度也得到了提高,读取速度为100,000 IOPS,写入速度为70,000 IOPS,这将使一般响应速度和加载时间提高60%。
三星将提供512 GB、256 GB和128 GB版本的eUFS 3.1芯片,这意味着这一新标准也可能被中端手持设备采用。目前,这些芯片仅在中国Xi安的第五代V-NAND存储器工厂生产。三星计划扩大其在韩国平泽工厂的大规模生产,该工厂将使用第六代V-NAND存储器。
郑重声明:本文版权归原作者所有。这篇文章被转载只是为了传播更多的信息。如果作者信息标注有误,请立即联系我们进行修改或删除。谢谢你。
免责声明:本文由用户上传,如有侵权请联系删除!